Datasheet

2004 Jan 09 6
NXP Semiconductors Product data sheet
50 V; 3 A NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS4350T
handbook, halfpage
MLD871
10
10
3
10
2
10
−1
110
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
10
2
10
3
10
4
1
(3)
(2)
(1)
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
MLD872
10
10
3
10
2
10
−1
110
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
10
2
10
3
10
4
1
(3)
(1)
(2)
Fig.7 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
MLD873
10
4
10
3
10
2
10
−1
110
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
10
2
10
3
10
4
10
(3)
(1)
(2)
Fig.8 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 50.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
MLD874
10
4
10
3
10
2
10
−1
110
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
10
2
10
3
10
4
10
(3)
(1)
(2)
Fig.9 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 100.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.