Datasheet

2004 Jan 09 5
NXP Semiconductors Product data sheet
50 V; 3 A NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS4350T
handbook, halfpage
0
1000
200
400
600
800
MLD867
10
−1
1
(1)
10
I
C
(mA)
h
FE
10
2
10
3
10
4
(3)
(2)
Fig.2 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 2 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
MLD868
0
1200
400
800
10
−1
110
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
10
2
10
3
10
4
(1)
(3)
(2)
Fig.3 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 2 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
MLD869
100
1300
500
900
10
−1
110
I
C
(mA)
V
BEsat
(mV)
10
2
10
3
10
4
(1)
(3)
(2)
Fig.4 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
MLD870
100
1300
500
900
10
−1
110
I
C
(mA)
V
BEsat
(mV)
10
2
10
3
10
4
(1)
(3)
(2)
Fig.5 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.