Datasheet

PBSS5350D All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 6 — 28 June 2011 6 of 12
NXP Semiconductors
PBSS5350D
50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= -55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 150 °C
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= -55 °C
Fig 5. Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values
Fig 6. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= -55 °C
Fig 7. Collector-emitter saturation resistance as a function of collector current; typical values
mgw170
I
C
(mA)
−1.4
−0.8
−0.6
−0.4
−0.2
−1.0
−1.2
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
−10
4
V
BEsat
(V)
(1)
(2)
(3)
mgw169
I
C
(mA)
−10
3
−10
2
−10
−1
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
−10
4
V
CEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
mgu390
10
3
10
2
10
1
10
−1
−10
−1
−1 −10
I
C
(mA)
R
CEsat
(Ω)
−10
2
−10
3
−10
4
(1)
(3)
(2)