Datasheet

PBSS5350D All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 6 — 28 June 2011 4 of 12
NXP Semiconductors
PBSS5350D
50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
7. Characteristics
Table 7. Characteristics
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
I
CBO
collector-base cut-off
current
V
CB
=-50V; I
E
=0A; T
amb
= 25 °C - - -100 nA
V
CB
=-50V; I
E
=0A; T
j
= 150 °C - - -50 µA
I
EBO
emitter-base cut-off
current
V
EB
=-5V; I
C
=0A; T
amb
= 25 °C - - -100 nA
h
FE
DC current gain V
CE
=-2V; I
C
=-500mA; T
amb
= 25 °C 200 - -
V
CE
=-2V; I
C
=-1A; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ≤0.02 ; T
amb
=25°C
200 - -
V
CE
=-2V; I
C
=-2A; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ≤0.02 ; T
amb
=25°C
100 - -
V
CEsat
collector-emitter
saturation voltage
I
C
=-500mA; I
B
=-50mA; T
amb
=25°C ---100mV
I
C
=-1A; I
B
=-50mA; T
amb
=25°C ---180mV
I
C
=-2A; I
B
= -200 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ≤0.02 ; T
amb
=25°C
---300mV
R
CEsat
collector-emitter
saturation resistance
- 120 150 mΩ
V
BEsat
base-emitter saturation
voltage
---1.2V
V
BEon
base-emitter turn-on
voltage
V
CE
=-2V; I
C
=-1A; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ≤0.02 ; T
amb
=25°C
---1.1V
f
T
transition frequency V
CE
=-5V; I
C
=-100mA; f=100MHz;
T
amb
=25°C
100 - - MHz
C
c
collector capacitance V
CB
=-10V; I
E
=0A; i
e
=0A;
f=1MHz; T
amb
=25°C
--40pF