Datasheet

2004 Nov 03 9
NXP Semiconductors Product data sheet
30 V, 3 A
PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS5330X
handbook, halfpage
−0.2
−1.4
−0.6
−1.0
MDB911
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
−10
4
V
BEsat
(V)
I
C
(mA)
(1)
(2)
(3)
Fig.10 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 100 °C.
handbook, halfpage
0 −2.0
−5
0
−1
−2
−3
−4
−0.4 −0.8 −1.2 −1.6
MDB912
I
C
(A)
V
CE
(V)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(8)
(7)
(9)
(10)
Fig.11 Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values.
T
amb
= 25 °C.
(1) I
B
= 53.0 mA.
(2) I
B
= 47.7 mA.
(3) I
B
= 42.4 mA.
(4) I
B
= 37.1 mA.
(5) I
B
= 31.8 mA.
(6) I
B
= 26.5 mA.
(7) I
B
= 21.2 mA.
(8) I
B
= 15.9 mA.
(9) I
B
= 10.6 mA.
(10) I
B
= 5.3 mA.
handbook, halfpage
10
2
10
1
10
−1
10
−2
MDB913
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
−10
4
R
CEsat
(Ω)
I
C
(mA)
(1)
(3)
(2)
Fig.12 Equivalent on-resistance as a function of
collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 100 °C. (2) T
amb
= 25 °C. (3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
10
2
10
1
10
−1
10
−2
MDB914
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
−10
4
R
CEsat
(Ω)
I
C
(mA)
10
3
(1)
(3)
(2)
Fig.13 Equivalent on-resistance as a function of
collector current; typical values.
(1) I
C
/I
B
= 10. (2) I
C
/I
B
= 5. (3) I
C
/I
B
= 1.
T
amb
= 25 °C.