Datasheet

2004 Nov 03 8
NXP Semiconductors Product data sheet
30 V, 3 A
PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS5330X
handbook, halfpage
0
800
200
400
600
MDB910
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
−10
4
h
FE
I
C
(mA)
(1)
(2)
(3)
Fig.6 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= −2 V.
(1) T
amb
= 100 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
0
−1.2
−0.4
−0.8
MDB909
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
−10
4
V
BE
(V)
I
C
(mA)
(1)
(2)
(3)
Fig.7 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= −2 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 100 °C.
handbook, halfpage
−1
−10
−1
−10
−2
−10
−3
MDB908
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
4
−10
3
V
CEsat
(V)
I
C
(mA)
(1)
(2)
(3)
Fig.8 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 100 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
MDB907
−1
10
−1
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
4
−10
3
I
C
(mA)
−10
−2
−10
−3
−10
−1
(3)
(1)
(2)
V
CEsat
(V)
Fig.9 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
T
amb
= 25 °C.
(1) I
C
/I
B
= 100.
(2) I
C
/I
B
= 50.
(3) I
C
/I
B
= 10.