Datasheet

PBSS5330PA_1 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 19 April 2010 8 of 15
NXP Semiconductors
PBSS5330PA
30 V, 3 A PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
=50
(3) I
C
/I
B
=10
Fig 10. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 11. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
=50
(3) I
C
/I
B
=10
Fig 12. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
Fig 13. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
006aac040
−1
−10
−1
−10
−2
−10
−3
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
4
−10
3
V
CEsat
(V)
I
C
(mA)
(1)
(2)
(3)
006aac041
−1
−1 −10 −10
2
−10
4
−10
3
I
C
(mA)
−10
−2
−10
−3
−10
−1
V
CEsat
(V)
−10
−1
(1)
(2)
(3)
006aac042
10
2
10
1
10
−1
10
−2
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
−10
4
R
CEsat
(Ω)
I
C
(mA)
(1)
(2)
(3)
006aac043
10
2
10
1
10
−1
10
−2
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
−10
4
R
CEsat
(Ω)
I
C
(mA)
10
3
(1)
(2)
(3)