Datasheet

PBSS5330PA_1 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 19 April 2010 7 of 15
NXP Semiconductors
PBSS5330PA
30 V, 3 A PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 6. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 7. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 8. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 9. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
006aac036
0
800
200
400
600
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
−10
4
h
FE
I
C
(mA)
(1)
(2)
(3)
006aac037
0 −2.0
−5
0
−1
−2
−3
−4
−0.4 −0.8 −1.2 −1.6
I
C
(A)
V
CE
(V)
I
B
(mA) = −53
−37.1
−26.5
−15.9
−5.3
−10.6
−21.2
−31.8
−42.4
−47.7
006aac038
0
−1.2
−0.4
−0.8
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
−10
4
V
BE
(V)
I
C
(mA)
(1)
(2)
(3)
006aac039
−0.2
−1.4
−0.6
−1.0
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
−10
4
V
BEsat
(V)
I
C
(mA)
(1)
(2)
(3)