Datasheet

2004 Jan 15 6
NXP Semiconductors Product data sheet
20 V, 3 A
PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS5320T
handbook, halfpage
MLD880
−10
−10
3
−10
2
−10
−1
−1 −10
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
−10
2
−10
3
−10
4
−1
(3)
(2)
(1)
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
MLD881
−10
−10
3
−10
2
−10
−1
−1 −10
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
−10
2
−10
3
−10
4
−1
(3)
(2)
(1)
Fig.7 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
MLD882
−10
−10
3
−10
2
−10
−1
−1 −10
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
−10
2
−10
3
−10
4
−1
(3)
(2)(1)
Fig.8 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 50.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
−10
4
−10
−10
2
−10
3
MLD883
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
(1)
(3) (2)
Fig.9 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 100.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.