Datasheet

2004 Jan 15 5
NXP Semiconductors Product data sheet
20 V, 3 A
PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS5320T
handbook, halfpage
0
1000
200
400
600
800
MLD876
−10
−1
−1
(1)
−10
I
C
(mA)
h
FE
−10
2
−10
3
−10
4
(3)
(2)
Fig.2 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= −2 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
MLD877
0
−1200
−400
−800
−10
−1
−1 −10
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
−10
2
−10
3
−10
4
(1)
(3)
(2)
Fig.3 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= −2 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
MLD878
−200
−1400
−600
−1000
−10
−1
−1 −10
I
C
(mA)
V
BEsat
(mV)
−10
2
−10
3
−10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.4 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
MLD879
−200
−1400
−600
−1000
−10
−1
−1 −10
I
C
(mA)
V
BEsat
(mV)
−10
2
−10
3
−10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.5 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.