Datasheet

NXP Semiconductors
PBSS5260PAP
60 V, 2 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS5260PAP All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2012. All rights reserved
Product data sheet 12 December 2012 10 / 17
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
R
CEsat
collector-emitter
saturation resistance
I
C
= -1 A; I
B
= -100 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 250 mΩ
I
C
= -500 mA; I
B
= -50 mA;
T
amb
= 25 °C
- - -1 V
I
C
= -1 A; I
B
= -50 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - -1 V
V
BEsat
base-emitter saturation
voltage
I
C
= -2 A; I
B
= -200 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - -1.2 V
V
BEon
base-emitter turn-on
voltage
V
CE
= -2 V; I
C
= -0.5 A; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - -0.9 V
t
d
delay time - 10 - ns
t
r
rise time - 80 - ns
t
on
turn-on time - 90 - ns
t
s
storage time - 195 - ns
t
f
fall time - 75 - ns
t
off
turn-off time
V
CC
= -12.5 V; I
C
= -1 A; I
Bon
= -50 mA;
I
Boff
= 50 mA; T
amb
= 25 °C
- 270 - ns
f
T
transition frequency V
CE
= -10 V; I
C
= -50 mA; f = 100 MHz;
T
amb
= 25 °C
50 100 - MHz
C
c
collector capacitance V
CB
= -10 V; I
E
= 0 A; i
e
= 0 A;
f = 1 MHz; T
amb
= 25 °C
- 16 21 pF
aaa-000338
200
300
100
400
500
h
FE
0
I
C
(mA)
-10
-1
-10
4
-10
3
-1 -10
2
-10
(1)
(2)
(3)
V
CE
= −2 V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig. 10. DC current gain as a function of collector
current; typical values
V
CE
(V)
0 -5-4-2 -3-1
aaa-000506
-1
-2
-3
I
C
(A)
0
I
B
= -50 mA
-30
-25
-20
-15
-10
-5
-45
-40
-35
T
amb
= 25 °C
Fig. 11. Collector current as a function of collector-
emitter voltage; typical values