Datasheet

2004 Jan 15 5
NXP Semiconductors Product data sheet
40 V, 2 A
PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS5240T
handbook, halfpage
0
1000
200
400
600
800
MHC064
−10
−1
−1 −10
h
FE
I
C
(mA)
−10
2
−10
3
−10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.2 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= −2V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
0
−1200
−1000
−400
−200
−800
−600
MHC067
−10
−1
−1
V
BE
(mV)
−10
I
C
(mA)
−10
2
−10
3
−10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.3 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= −2V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
−1200
−1000
−400
−200
−800
−600
MHC066
−10
−1
−1
V
BEsat
(V)
−10
I
C
(mA)
−10
2
−10
3
−10
4
(2)
(3)
(1)
Fig.4 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
−10
3
−10
2
−10
−1
MHC068
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
4
−10
3
V
CEsat
(mV)
I
C
(mA)
(1)
(2)
(3)
Fig.5 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.