Datasheet

PBSS5160V_3 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 03 — 14 December 2009 7 of 14
NXP Semiconductors
PBSS5160V
60 V, 1 A PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
I
C
/I
B
=10
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 7. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
Fig 8. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector-current; typical values
001aaa722
−0.4
−0.8
−1.2
V
BEsat
(V)
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(2)
(3)
(1)
001aaa723
−0.4
−0.8
−1.2
V
BEsat
(V)
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(3)
(2)
(1)