Datasheet

PBSS5160V_3 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 03 — 14 December 2009 6 of 14
NXP Semiconductors
PBSS5160V
60 V, 1 A PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
= −5V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
V
CE
= −5V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 3. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 4. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
=50
(3) I
C
/I
B
=10
Fig 5. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 6. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
001aaa719
200
400
600
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(2)
(1)
(3)
001aaa717
−0.4
−0.8
−1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
001aaa718
−1
−10
−1
−10
V
CEsat
(V)
−10
−2
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(3)
(2)
001aaa721
−1
−10
−1
−10
V
CEsat
(V)
−10
−2
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)