Datasheet
PBSS5160T_4 © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 04 — 15 January 2010 7 of 11
NXP Semiconductors
PBSS5160T
60 V, 1 A PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
I
C
/I
B
=10
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 7. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 8. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
=50
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 9. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 10. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
mle126
−10
−1
−10
−1
−10
−2
−10
−1
−1 −10
I
C
(mA)
V
CEsat
(V)
−10
2
−10
3
−10
4
(3)
(1)
(2)
mle119
−1
−10
−1
−10
−2
−10
−3
−10
−1
−1 −10
I
C
(mA)
V
CEsat
(V)
−10
2
−10
3
−10
4
(3)
(1)
(2)
mle120
−10
−1
−10
−1
−10
−2
−10
−1
−1 −10
I
C
(mA)
V
CEsat
(V)
−10
2
−10
3
−10
4
(1)
(2)
mle121
10
3
10
2
1
10
−1
10
−10
−1
−1
R
CEsat
(Ω)
I
C
(mA)
−10 −10
2
−10
3
−10
4
(3)
(1)
(2)