Datasheet

PBSS5160T_4 © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 04 — 15 January 2010 6 of 11
NXP Semiconductors
PBSS5160T
60 V, 1 A PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
= 5V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 55 °C
T
amb
=25°C
Fig 3. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 4. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= 5V
(1) T
amb
= 55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 5. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 6. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
mle124
0
600
200
400
10
1
1 10
I
C
(mA)
h
FE
10
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
mle125
0 5
2
0
0.4
0.8
1.2
1.6
1
V
CE
(V)
I
C
(A)
2 3 4
40
3632
2824
12
8
16
4
I
B
(mA) = 20
mle122
0
1.2
0.4
0.8
10
1
1 10
I
C
(mA)
V
BE
(V)
10
2
10
3
10
4
(1)
(3)
(2)
0.2
1.2
0.4
0.6
0.8
1
mle123
10
1
1
(1)
10
I
C
(mA)
V
BEsat
(V)
10
2
10
3
10
4
(3)
(2)