Datasheet
PBSS5160T_4 © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 04 — 15 January 2010 6 of 11
NXP Semiconductors
PBSS5160T
60 V, 1 A PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
= −5V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 3. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 4. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= −5V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 5. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 6. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
mle124
0
600
200
400
−10
−1
−1 −10
I
C
(mA)
h
FE
−10
2
−10
3
−10
4
(1)
(2)
(3)
mle125
0 −5
−2
0
−0.4
−0.8
−1.2
−1.6
−1
V
CE
(V)
I
C
(A)
−2 −3 −4
−40
−36−32
−28−24
−12
−8
−16
−4
I
B
(mA) = − 20
mle122
0
−1.2
−0.4
−0.8
−10
−1
−1 −10
I
C
(mA)
V
BE
(V)
−10
2
−10
3
−10
4
(1)
(3)
(2)
−0.2
−1.2
−0.4
−0.6
−0.8
−1
mle123
−10
−1
−1
(1)
−10
I
C
(mA)
V
BEsat
(V)
−10
2
−10
3
−10
4
(3)
(2)