Datasheet
NXP Semiconductors
PBSS5160PAP
60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS5160PAP All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2013. All rights reserved
Product data sheet 23 January 2013 11 / 17
006aad214
-0.4
-0.8
-1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
-10
-1
-10
4
-10
3
-1 -10
2
-10
(3)
(2)
(1)
V
CE
= −2 V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig. 12. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
006aad215
-0.6
-0.8
-0.4
-1.0
-1.2
V
BEsat
(V)
-0.2
I
C
(mA)
-10
-1
-10
4
-10
3
-1 -10
2
-10
(1)
(2)
(3)
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig. 13. Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values
006aad216
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
10
-2
10
-1
1
10
V
CEsat
(V)
10
-3
(1)
(2)
(3)
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig. 14. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
006aad217
I
C
(mA)
-10
-1
-10
4
-10
3
-1 -10
2
-10
-10
-2
-10
-1
-1
-10
V
CEsat
(V)
-10
-3
(1)
(2)
(3)
T
amb
= 25 °C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
= 50
(3) I
C
/I
B
= 10
Fig. 15. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values