Datasheet

NXP Semiconductors
PBSS5160PAP
60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS5160PAP All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2013. All rights reserved
Product data sheet 23 January 2013 10 / 17
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
I
C
= -500 mA; I
B
= -50 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - -1 V
I
C
= -1 A; I
B
= -50 mA; T
amb
= 25 °C - - -1 V
V
BEsat
base-emitter saturation
voltage
I
C
= -1 A; I
B
= -100 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - -1.1 V
V
BEon
base-emitter turn-on
voltage
V
CE
= -2 V; I
C
= -0.5 A; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - -0.9 V
t
d
delay time - 15 - ns
t
r
rise time - 40 - ns
t
on
turn-on time - 55 - ns
t
s
storage time - 95 - ns
t
f
fall time - 40 - ns
t
off
turn-off time
V
CC
= -10 V; I
C
= -0.5 A; I
Bon
= -25 mA;
I
Boff
= 25 mA; T
amb
= 25 °C
- 135 - ns
f
T
transition frequency V
CE
= -10 V; I
C
= -50 mA; f = 100 MHz;
T
amb
= 25 °C
65 125 - MHz
C
c
collector capacitance V
CB
= -10 V; I
E
= 0 A; i
e
= 0 A;
f = 1 MHz; T
amb
= 25 °C
- 9.5 13 pF
006aad212
200
300
100
400
500
h
FE
0
I
C
(mA)
-10
-1
-10
4
-10
3
-1 -10
2
-10
(1)
(2)
(3)
V
CE
= −2 V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig. 10. DC current gain as a function of collector
current; typical values
V
CE
(V)
0 -5-4-2 -3-1
006aad213
-0.50
-0.75
-0.25
-1.00
-1.50
I
C
(A)
0
I
B
= -20 mA
-18 -16 -14
-2
-12
-10
-8
-6
-4
T
amb
= 25 °C
Fig. 11. Collector current as a function of collector-
emitter voltage; typical values