Datasheet

2001 Jul 20 5
NXP Semiconductors Product data sheet
40 V low V
CEsat
PNP transistor
PBSS5140U
handbook, halfpage
MLD543
0
1200
400
800
10
1
1 10
I
C
(mA)
h
FE
10
2
10
3
10
4
(1)
(3)
(2)
Fig.2 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 5 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 55 °C.
handbook, halfpage
10
1
10
1
1 10 10
2
10
3
10
4
10
1
MLD544
I
C
(mA)
V
BE
(V)
(3)
(2)
(1)
Fig.3 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 5 V.
(1) T
amb
= 55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
10
3
10
2
10
1
MLD545
1 10 10
2
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
10
3
10
4
(2)
(1)
(3)
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 55 °C.
handbook, halfpage
MLD677
10
1
10
2
10
1
1 10
I
C
(mA)
R
CEsat
(Ω)
10
2
10
3
10
4
10
1
(3)
(1)
(2)
Fig.5 Equivalent on-resistance as a function of
collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 55 °C.