Datasheet

PBSS5140T_4 © NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 04 — 29 July 2008 6 of 13
NXP Semiconductors
PBSS5140T
40 V, 1 A PNP low V
CEsat
BISS transistor
V
CE
= −5V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 4. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 5. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= −5V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 6. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 7. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
006aab311
400
600
200
800
1000
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
V
CE
(V)
0 −2−1.6−0.8 −1.2−0.4
006aab312
−1
−0.5
−1.5
−2
I
C
(A)
0
−6
I
B
(mA) = −60
−54
−48
−12
−18
−24
−30
−36
−42
006aab313
−0.4
−0.8
−1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
006aab314
−0.5
−0.9
−1.3
V
BEsat
(V)
−0.1
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)