Datasheet

NXP Semiconductors
PBSS5130T
30 V; 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS5130T All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP N.V. 2013. All rights reserved
Product data sheet 9 July 2013 5 / 11
aaa-006394
400
600
200
800
1000
h
FE
0
I
C
(mA)
-10
-1
-10
4
-10
3
-1 -10
2
-10
(1)
(2)
(3)
V
CE
= -2 V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= -55 °C
Fig. 1. DC current gain as a function of collector
current; typical values
V
CE
(V)
0 -5-4-2 -3-1
aaa-006395
-0.4
-0.6
-0.2
-0.8
-1.0
I
C
(A)
0
I
B
(mA) = -3
-2.7
-2.4
-2.1
-1.8
-1.5
-1.2
-0.9
-0.6
-0.3
T
amb
= 25 °C
Fig. 2. Collector current as a function of collector-
emitter voltage; typical values
aaa-006396
-400
-800
-1200
V
BE
(mV)
0
I
C
(mA)
-10
-1
-10
4
-10
3
-1 -10
2
-10
(1)
(2)
(3)
V
CE
= -2 V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= -55 °C
Fig. 3. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
aaa-006397
-400
-800
-1200
V
BEsat
(mV)
0
I
C
(mA)
-10
-1
-10
4
-10
3
-1 -10
2
-10
(1)
(2)
(3)
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= -55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig. 4. Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values