Datasheet

NXP Semiconductors
PBSS5130T
30 V; 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS5130T All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP N.V. 2013. All rights reserved
Product data sheet 9 July 2013 4 / 11
10. Characteristics
Table 7. Characteristics
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
V
CB
= -30 V; I
E
= 0 A; T
amb
= 25 °C - - -100 nAI
CBO
collector-base cut-off
current
V
CB
= -30 V; I
E
= 0 A; T
j
= 150 °C - - -50 µA
I
EBO
emitter-base cut-off
current
V
EB
= -4 V; I
C
= 0 A; T
amb
= 25 °C - - -100 nA
V
CE
= -2 V; I
C
= -100 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
300 450 -
V
CE
= -2 V; I
C
= -500 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
260 350 -
h
FE
DC current gain
V
CE
= -2 V; I
C
= -1 A; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
210 290 -
I
C
= -100 mA; I
B
= -1 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - -100 mVV
CEsat
collector-emitter
saturation voltage
I
C
= -1 A; I
B
= -50 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - -225 mV
R
CEsat
collector-emitter
saturation resistance
I
C
= -500 mA; I
B
= -50 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 220
V
BEsat
base-emitter saturation
voltage
I
C
= -2 A; I
B
= -200 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - -1.1 V
V
BEon
base-emitter turn-on
voltage
V
CE
= -2 V; I
C
= -100 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - -0.75 V
f
T
transition frequency V
CE
= -10 V; I
C
= -100 mA;
f = 100 MHz; T
amb
= 25 °C
100 200 - MHz
C
c
collector capacitance V
CB
= -10 V; I
E
= 0 A; i
e
= 0 A;
f = 1 MHz; T
amb
= 25 °C
- - 28 pF