Datasheet

PBSS4580PA_1 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 15 April 2010 7 of 15
NXP Semiconductors
PBSS4580PA
80 V, 5.6 A NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
=2V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 6. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 7. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
=2V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 8. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 9. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
006aab983
400
200
600
800
h
FE
0
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(3)
(2)
V
CE
(V)
0.0 5.04.02.0 3.01.0
006aab984
4.0
2.0
6.0
8.0
I
C
(A)
0.0
63
56
49
42
35
28
21
14
7
I
B
(mA) = 70
006aab985
0.4
0.8
1.2
V
BE
(V)
0.0
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(3)
(2)
006aab986
0.4
0.8
1.2
V
BEsat
(V)
0.0
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(3)
(2)