Datasheet

PBSS4560PA All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 1 — 19 May 2010 7 of 15
NXP Semiconductors
PBSS4560PA
60 V, 6 A NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
=2V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 6. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 7. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
=2V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 8. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 9. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
006aac104
400
200
600
800
h
FE
0
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(2)
(1)
(3)
V
CE
(V)
0.0 5.04.02.0 3.01.0
006aac105
4
2
6
8
I
C
(A)
0
I
B
(mA) = 50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
006aac106
0.4
0.8
1.2
V
BE
(V)
0.0
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(2)
(1)
(3)
006aac107
0.4
0.8
1.2
V
BEsat
(V)
0.0
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(2)
(1)
(3)