Datasheet

2001 Nov 14 6
NXP Semiconductors Product data sheet
40 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS4540Z
100
300
500
700
900
1100
1300
MLD686
10
1
1
I
C
(mA)
V
BEsat
(V)
10 10
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.6 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
0
12
10
8
6
4
2
0
400 2000800
I
C
(A)
1200 1600
V
CE
(mV)
MHC106
(1)
(3)
(5)
(7)
(9)
(10)
(2)
(4)
(6)
(8)
Fig.7 Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values.
(1) I
B
= 70 mA.
(2) I
B
= 63 mA.
(3) I
B
= 56 mA.
(4) I
B
= 49 mA.
(5) I
B
= 42 mA.
(6) I
B
= 35 mA.
(7) I
B
= 28 mA.
(8) I
B
= 21 mA.
(9) I
B
= 14 mA.
(10) I
B
= 7 mA.
handbook, halfpage
MHC076
10
1
11010
2
10
3
I
C (mA)
10
4
R
CEsat
(Ω)
10
3
10
2
10
1
10
1
10
2
(1)
(2)
(3)
Fig.8 Collector-emitter equivalent on-resistance
as a function of collector current; typical
values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 55 °C.