Datasheet

2001 Nov 14 5
NXP Semiconductors Product data sheet
40 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS4540Z
handbook, halfpage
0
1000
200
400
600
800
MLD683
101
I
C
(mA)
h
FE
10
2
10
3
10
4
(1)
(3)
(2)
Fig.2 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 2 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 55 °C.
handbook, halfpage
0
1200
1000
400
600
200
800
MLD684
10
1
1
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
10 10
2
10
3
10
4
(3)
(2)
(1)
Fig.3 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 2 V.
(1) T
amb
= 55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
10
2
10
3
10
10
1
110
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
10
2
10
3
10
4
1
MLD685
(1)
(2)
(3)
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 55 °C.
handbook, halfpage
10
4
10
3
10
2
10
1
MHC107
10
1
10
I
C
(mA)
1
V
CEsat
(mV)
10
2
10
3
10
4
(2)
(1)
(3)
Fig.5 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
T
amb
= 25 °C.
(1) I
C
/I
B
= 100.
(2) I
C
/I
B
= 50.
(3) I
C
/I
B
= 10.