Datasheet

2004 Nov 04 9
NXP Semiconductors Product data sheet
40 V, 5 A
PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS5540X
001aaa161
−10
−1
−10
−2
−1
V
CEsat
(V)
−10
−3
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
Fig.10 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
(1) T
amb
= 100 °C. (2) T
amb
= 25 °C. (3) T
amb
= −55 °C.
I
C
/I
B
= 20.
001aaa162
−10
−1
−10
−2
−1
V
CEsat
(V)
−10
−3
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
Fig.11 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
(1) I
C
/I
B
= 100. (2) I
C
/I
B
= 50. (3) I
C
/I
B
= 10.
T
amb
= 25 °C.
001aaa163
I
C
(mA)
10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
−1
−10
V
BEsat
(V)
−10
−1
(1)
(2)
(3)
Fig.12 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
(1) T
amb
= −55 °C. (2) T
amb
= 25 °C. (3) T
amb
= 100 °C.
I
C
/I
B
= 20.
001aaa164
−0.4
−0.8
−1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
Fig.13 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
T
amb
= 25 °C.