Datasheet

2004 Nov 04 8
NXP Semiconductors Product data sheet
40 V, 5 A
PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS5540X
V
CE
(V)
0 −2−1.5−0.5 −1
001aaa157
−4
−2
−6
−8
I
C
(A)
0
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
Fig.6 Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values.
(1) I
B1
= −11 mA.
(2) I
B2
= −22 mA.
(3) I
B3
= −33 mA.
(4) I
B4
= −44 mA.
(5) I
B5
= −55 mA.
001aaa158
−0.4
−0.8
−1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
Fig.7 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
(1) T
amb
= −55 °C. (2) T
amb
= 25 °C. (3) T
amb
= 100 °C.
V
CE
= −2 V.
001aaa159
400
600
200
800
1000
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
Fig.8 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
(1) T
amb
= 100 °C. (2) T
amb
= 25 °C. (3) T
amb
= −55 °C.
V
CE
= −2 V.
001aaa160
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
10
−1
1
10
10
2
R
CEsat
(Ω)
10
−2
(1)
(2)
(3)
Fig.9 Equivalent on-resistance as a function of
collector current; typical values.
(1) T
amb
= 100 °C. (2) T
amb
= 25 °C. (3) T
amb
= −55 °C.
I
C
/I
B
= 20.