Datasheet
2004 Oct 25 8
NXP Semiconductors Product data sheet
80 V, 4 A
NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS4480X
001aaa734
400
600
200
800
1000
h
FE
0
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(2)
(3)
V
CE
= 2 V.
(1) T
amb
= 100 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
Fig.6 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
001aab057
0.4
0.8
1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(2)
(3)
Fig.7 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 2 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 100 °C.
001aaa737
10
2
10
10
3
V
CEsat
(mV)
1
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(2)
(3)
(1) I
C
/I
B
= 100.
(2) I
C
/I
B
= 50.
(3) I
C
/I
B
= 10.
Fig.8 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
001aaab059
10
-1
10
-2
1
V
CEsat
(V)
10
-3
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(2)
(3)
Fig.9 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 100 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.