Datasheet

2003 May 13 5
NXP Semiconductors Product data sheet
50 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS4350Z
handbook, halfpage
0
h
FE
I
C
(mA)
600
100
200
300
500
400
MGW175
10
−1
11010
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.2 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 2 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
0
0.2
I
C
(mA)
V
BE
(V)
1.2
0.4
0.8
0.6
1.0
MGW176
10
−1
11010
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.3 Base-emitter voltage as a function of
collector-current; typical values.
V
CE
= 2 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
I
C
(mA)
10
3
10
2
10
1
MGW181
10
−1
11010
2
10
3
10
4
V
CEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.4 Collector-emitter saturation as a function of
collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
I
C
(mA)
1.2
0.6
0.4
0.2
0
0.8
1.0
MGW178
10
−1
11010
2
10
3
10
4
V
BEsat
(V)
(1)
(2)
(3)
Fig.5 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.