Datasheet

2004 Nov 04 8
Philips Semiconductors Product specification
50 V, 3 A
NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS4350X
handbook, halfpage
0
800
200
400
600
MLE181
10
−1
1
I
C
(mA)
h
FE
10 10
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.6 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
=2V.
(1) T
amb
= 100 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
MLE180
0
1.2
0.4
0.8
10
−1
110
I
C
(mA)
V
BE
(V)
10
2
10
3
10
4
(1)
(3)
(2)
Fig.7 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
=2V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= 100 °C.
handbook, halfpage
MLE183
1
10
−1
10
−2
10
−3
10
−1
110
I
C
(mA)
V
CEsat
(V)
10
2
10
3
10
4
(3)
(1)
(2)
Fig.8 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 100 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
MLE184
1
10
−1
10
−2
10
−3
10
−1
110
I
C
(mA)
V
CEsat
(V)
10
2
10
3
10
4
(3)
(1)
(2)
Fig.9 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
T
amb
=25°C.
(1) I
C
/I
B
= 100.
(2) I
C
/I
B
= 50.
(3) I
C
/I
B
= 10.