Datasheet

PBSS4350SPN_1 © NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 5 April 2007 9 of 19
NXP Semiconductors
PBSS4350SPN
50 V, 2.7 A NPN/PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
=2V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 5. TR1 (NPN): DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 6. TR1 (NPN): Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
=2V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 7. TR1 (NPN): Base-emitter voltage as a function
of collector current; typical values
Fig 8. TR1 (NPN): Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
006aaa968
400
600
200
800
1000
h
FE
0
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(2)
(3)
V
CE
(V)
0 2.01.60.8 1.20.4
006aaa969
2
3
1
4
5
I
C
(A)
0
I
B
(mA) = 100
90
10
80
70
60
50
40
30
20
006aaa970
0.4
0.8
1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(2)
(3)
006aaa971
0.6
1.0
1.4
V
BEsat
(V)
0.2
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(2)
(3)