Datasheet

PBSS4350SPN_1 © NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 5 April 2007 11 of 19
NXP Semiconductors
PBSS4350SPN
50 V, 2.7 A NPN/PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 13. TR2 (PNP): DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 14. TR2 (PNP): Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 15. TR2 (PNP): Base-emitter voltage as a function
of collector current; typical values
Fig 16. TR2 (PNP): Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
006aaa977
200
400
600
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
V
CE
(V)
0 −2.0−1.6−0.8 −1.2−0.4
006aaa978
−2
−3
−1
−4
−5
I
C
(A)
0
I
B
(mA) = −140
−126
−112
−98
−84
−70
−56
−14
−28
−42
006aaa979
−0.4
−0.8
−1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
006aaa980
−0.6
−1.0
−1.4
V
BEsat
(V)
−0.2
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)