Datasheet

PBSS4330PA_1 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 19 April 2010 7 of 15
NXP Semiconductors
PBSS4330PA
30 V, 3 A NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
=2V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 6. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 7. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
=2V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 8. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 9. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
006aac044
400
200
600
800
h
FE
0
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(3)
(2)
V
CE
(V)
0.0 2.01.60.8 1.20.4
006aac045
2.0
3.0
1.0
4.0
5.0
I
C
(A)
0.0
I
B
(mA) = 25
17.5
12.5
7.5
2.5
20
22.5
5
10
15
006aac046
0.4
0.8
1.2
V
BE
(V)
0.0
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(3)
(2)
006aac047
0.6
0.8
0.4
1.0
1.2
V
BEsat
(V)
0.2
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(3)
(2)