Datasheet

2004 Mar 18 6
NXP Semiconductors Product data sheet
20 V NPN low V
CEsat
transistor
PBSS4320T
handbook, halfpage
MLD853
10
10
3
10
2
10
−1
110
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
10
2
10
3
10
4
1
(3)
(2)
(1)
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
MLD854
10
10
3
10
2
10
−1
110
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
10
2
10
3
10
4
1
(3)
(1)
(2)
Fig.7 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
MLD855
10
10
3
10
2
10
−1
110
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
10
2
10
3
10
4
1
(3)
(1)
(2)
Fig.8 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 50.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
MLD856
10
10
3
10
2
10
−1
110
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
10
2
10
3
10
4
1
(3)
(1)
(2)
Fig.9 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 100.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.