Datasheet

NXP Semiconductors
PBSS4260PANP
60 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4260PANP All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2012. All rights reserved
Product data sheet 12 December 2012 14 / 21
aaa-000338
200
300
100
400
500
h
FE
0
I
C
(mA)
-10
-1
-10
4
-10
3
-1 -10
2
-10
(1)
(2)
(3)
V
CE
= −2 V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig. 18. TR2 (PNP): DC current gain as a function of
collector current; typical values
V
CE
(V)
0 -5-4-2 -3-1
aaa-000506
-1
-2
-3
I
C
(A)
0
I
B
= -50 mA
-30
-25
-20
-15
-10
-5
-45
-40
-35
T
amb
= 25 °C
Fig. 19. TR2 (PNP): Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
aaa-000513
-0.4
-0.8
-1.2
V
BE
(V)
0.0
I
C
(mA)
-10
-1
-10
4
-10
3
-1 -10
2
-10
(1)
(2)
(3)
V
CE
= −2 V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig. 20. TR2 (PNP): Base-emitter voltage as a function
of collector current; typical values
aaa-000529
-0.6
-0.8
-0.4
-1.0
-1.2
V
BEsat
(V)
-0.2
I
C
(mA)
-10
-1
-10
4
-10
3
-1 -10
2
-10
(1)
(2)
(3)
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig. 21. TR2 (PNP): Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values