Datasheet

NXP Semiconductors
PBSS4260PANP
60 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4260PANP All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2012. All rights reserved
Product data sheet 12 December 2012 12 / 21
aaa-000083
400
200
600
800
h
FE
0
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
(1)
(2)
(3)
V
CE
= 2 V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig. 10. TR1 (NPN): DC current gain as a function of
collector current; typical values
V
CE
(V)
0 542 31
aaa-000113
1
2
3
I
C
(A)
0
I
B
= 50 mA
45
40
35
30
25
20
15
10
5
T
amb
= 25 °C
Fig. 11. TR1 (NPN): Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
aaa-000114
0.4
0.8
1.2
V
BE
(V)
0.0
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
(1)
(2)
(3)
V
CE
= 2 V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig. 12. TR1 (NPN): Base-emitter voltage as a function
of collector current; typical values
aaa-000115
0.6
0.8
0.4
1.0
1.2
V
BEsat
(V)
0.2
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
(1)
(3)
(2)
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig. 13. TR1 (NPN): Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values