Datasheet

NXP Semiconductors
PBSS4260PANP
60 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4260PANP All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2012. All rights reserved
Product data sheet 12 December 2012 11 / 21
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
I
C
= -2 A; I
B
= -200 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- -365 -500 mV
R
CEsat
collector-emitter
saturation resistance
I
C
= -1 A; I
B
= -100 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 250 mΩ
I
C
= -500 mA; I
B
= -50 mA;
T
amb
= 25 °C
- - -1 V
I
C
= -1 A; I
B
= -50 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - -1 V
V
BEsat
base-emitter saturation
voltage
I
C
= -2 A; I
B
= -200 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - -1.2 V
V
BEon
base-emitter turn-on
voltage
V
CE
= -2 V; I
C
= -0.5 A; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - -0.9 V
t
d
delay time - 10 - ns
t
r
rise time - 80 - ns
t
on
turn-on time - 90 - ns
t
s
storage time - 195 - ns
t
f
fall time - 75 - ns
t
off
turn-off time
V
CC
= -12.5 V; I
C
= -1 A; I
Bon
= -50 mA;
I
Boff
= 50 mA; T
amb
= 25 °C
- 270 - ns
f
T
transition frequency V
CE
= -10 V; I
C
= -50 mA; f = 100 MHz;
T
amb
= 25 °C
50 100 - MHz
C
c
collector capacitance V
CB
= -10 V; I
E
= 0 A; i
e
= 0 A;
f = 1 MHz; T
amb
= 25 °C
- 16 21 pF