Datasheet

NXP Semiconductors
PBSS4240X
40 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4240X All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2012. All rights reserved
Product data sheet 15 October 2012 7 / 12
006aad161
0.4
0.8
1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
(1)
(2)
(3)
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
= -55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig. 7. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
006aad162
0.6
0.8
0.4
1.0
1.2
V
BEsat
(V)
0.2
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
(1)
(2)
(3)
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= -55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig. 8. Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values
006aad163
10
-1
10
-2
1
V
CEsat
(V)
10
-3
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
(1)
(2)
(3)
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= -55 °C
Fig. 9. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
006aad164
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
1
10
10
2
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
-1
(1)
(2)
(3)
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= -55 °C
Fig. 10. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values