Datasheet

NXP Semiconductors
PBSS4240X
40 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4240X All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2012. All rights reserved
Product data sheet 15 October 2012 6 / 12
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
V
BEsat
base-emitter saturation
voltage
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 1.2 V
V
BEon
base-emitter turn-on
voltage
V
CE
= 5 V; I
C
= 1 A; pulsed; t
p
≤ 300 µs;
δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 1.1 V
f
T
transition frequency V
CE
= 10 V; I
C
= 50 mA; f = 100 MHz;
T
amb
= 25 °C
150 - - MHz
C
c
collector capacitance V
CB
= 10 V; I
E
= 0 A; i
e
= 0 A;
f = 1 MHz; T
amb
= 25 °C
- - 10 pF
006aad159
400
800
1200
h
FE
0
I
C
(mA)
1 10
4
10
3
10 10
2
(1)
(2)
(3)
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= -55 °C
Fig. 5. DC current gain as a function of collector
current; typical values
V
CE
(V)
0 542 31
006aad160
0.8
1.2
0.4
1.6
2.0
I
C
(A)
0
I
B =
15 mA
12 9
6
4.5
3
1.5
T
amb
= 25 °C
Fig. 6. Collector current as a function of collector-
emitter voltage; typical values