Datasheet

NXP Semiconductors
PBSS4240X
40 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4240X All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2012. All rights reserved
Product data sheet 15 October 2012 5 / 12
006aac682
10
1
10
2
10
3
Z
th(j-a)
(K/W)
10
- 1
10
- 5
1010
- 2
10
- 4
10
2
10
- 1
t
p
(s)
10
- 3
10
3
1
0
duty cycle = 1
0.01
0.05
0.1
0.2
0.33
0.5
0.75
0.02
FR4 PCB, mounting pad for collector 6 cm
2
Fig. 4. Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration; typical values
7. Characteristics
Table 7. Characteristics
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
V
CB
= 40 V; I
E
= 0 A; T
amb
= 25 °C - - 100 nAI
CBO
collector-base cut-off
current
V
CB
= 40 V; I
E
= 0 A; T
j
= 150 °C - - 50 µA
I
CEO
collector-emitter cut-off
current
V
CE
= 30 V; I
B
= 0 A; T
amb
= 25 °C - - 100 nA
I
EBO
emitter-base cut-off
current
V
EB
= 5 V; I
C
= 0 A; T
amb
= 25 °C - - 100 nA
V
CE
= 5 V; I
C
= 1 mA; T
amb
= 25 °C 300 - -
V
CE
= 5 V; I
C
= 500 mA; T
amb
= 25 °C 300 - 900
V
CE
= 5 V; I
C
= 1 A; T
amb
= 25 °C 200 - -
h
FE
DC current gain
V
CE
= 5 V; I
C
= 2 A; pulsed; t
p
≤ 300 µs;
δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
75 - -
I
C
= 100 mA; I
B
= 1 mA; T
amb
= 25 °C - - 80 mV
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA; T
amb
= 25 °C - - 140 mV
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 260 mV
V
CEsat
collector-emitter
saturation voltage
I
C
= 2 A; I
B
= 200 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 510 mV
R
CEsat
collector-emitter
saturation resistance
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 260 mΩ