Datasheet

NXP Semiconductors
PBSS4230PAN
30 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4230PAN All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2012. All rights reserved
Product data sheet 14 December 2012 10 / 17
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
R
CEsat
collector-emitter
saturation resistance
I
C
= 1 A; I
B
= 0.1 A; pulsed; t
p
≤ 300 µs;
δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 145 mΩ
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA; T
amb
= 25 °C - - 1 V
I
C
= 1 A; I
B
= 50 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 1 V
I
C
= 2 A; I
B
= 100 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 1.1 V
V
BEsat
base-emitter saturation
voltage
I
C
= 2 A; I
B
= 200 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 1.2 V
V
BEon
base-emitter turn-on
voltage
V
CE
= 2 V; I
C
= 0.5 A; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 0.9 V
t
d
delay time - 10 - ns
t
r
rise time - 50 - ns
t
on
turn-on time - 60 - ns
t
s
storage time - 310 - ns
t
f
fall time - 60 - ns
t
off
turn-off time
V
CC
= 12.5 V; I
C
= 1 A; I
Bon
= 50 mA;
I
Boff
= -50 mA; T
amb
= 25 °C
- 370 - ns
f
T
transition frequency V
CE
= 10 V; I
C
= 50 mA; f = 100 MHz;
T
amb
= 25 °C
60 120 - MHz
C
c
collector capacitance V
CB
= 10 V; I
E
= 0 A; i
e
= 0 A;
f = 1 MHz; T
amb
= 25 °C
- 13.5 18 pF