Datasheet

NXP Semiconductors
PBSS4160PANP
60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4160PANP All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2013. All rights reserved
Product data sheet 14 January 2013 11 / 21
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
I
C
= -1 A; I
B
= -50 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - -1 V
I
C
= -1 A; I
B
= -100 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - -1.1 V
V
BEon
base-emitter turn-on
voltage
V
CE
= -2 V; I
C
= -0.5 A; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - -0.9 V
t
d
delay time - 15 - ns
t
r
rise time - 40 - ns
t
on
turn-on time - 55 - ns
t
s
storage time - 95 - ns
t
f
fall time - 40 - ns
t
off
turn-off time
V
CC
= -10 V; I
C
= -0.5 A; I
Bon
= -25 mA;
I
Boff
= 25 mA; T
amb
= 25 °C
- 135 - ns
f
T
transition frequency V
CE
= -10 V; I
C
= -50 mA; f = 100 MHz;
T
amb
= 25 °C
65 125 - MHz
C
c
collector capacitance V
CB
= -10 V; I
E
= 0 A; i
e
= 0 A;
f = 1 MHz; T
amb
= 25 °C
- 9.5 13 pF
006aad204
400
200
600
800
h
FE
0
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
(1)
(2)
(3)
V
CE
= 2 V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig. 10. TR1 (NPN): DC current gain as a function of
collector current; typical values
V
CE
(V)
0 542 31
006aad205
0.50
0.75
0.25
1.00
1.50
I
C
(A)
0
I
B
= 15 mA
13.5 12 10.5
9
7.5
6
4.5
3
1.5
T
amb
= 25 °C
Fig. 11. TR1 (NPN): Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values