Datasheet

NXP Semiconductors
PBSS4160PANP
60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4160PANP All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2013. All rights reserved
Product data sheet 14 January 2013 10 / 21
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA; T
amb
= 25 °C - - 1 V
I
C
= 1 A; I
B
= 50 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 1.1 V
V
BEsat
base-emitter saturation
voltage
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 1.1 V
V
BEon
base-emitter turn-on
voltage
V
CE
= 2 V; I
C
= 0.5 A; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 0.9 V
t
d
delay time - 15 - ns
t
r
rise time - 90 - ns
t
on
turn-on time - 105 - ns
t
s
storage time - 410 - ns
t
f
fall time - 130 - ns
t
off
turn-off time
V
CC
= 10 V; I
C
= 0.5 A; I
Bon
= 25 mA;
I
Boff
= -25 mA; T
amb
= 25 °C
- 540 - ns
f
T
transition frequency V
CE
= 10 V; I
C
= 50 mA; f = 100 MHz;
T
amb
= 25 °C
90 175 - MHz
C
c
collector capacitance V
CB
= 10 V; I
E
= 0 A; i
e
= 0 A;
f = 1 MHz; T
amb
= 25 °C
- 4 6 pF
TR2 (PNP)
V
CB
= -48 V; I
E
= 0 A - - -100 nAI
CBO
collector-base cut-off
current
V
CB
= -48 V; I
E
= 0 A; T
j
= 150 °C - - -50 µA
I
EBO
emitter-base cut-off
current
V
EB
= -5 V; I
C
= 0 A - - -100 nA
V
CE
= -2 V; I
C
= -100 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
170 245 -
V
CE
= -2 V; I
C
= -500 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
120 170 -
h
FE
DC current gain
V
CE
= -2 V; I
C
= -1 A; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
70 100 -
I
C
= -500 mA; I
B
= -50 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- -125 -180 mV
I
C
= -1 A; I
B
= -50 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- -390 -550 mV
V
CEsat
collector-emitter
saturation voltage
I
C
= -1 A; I
B
= -100 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- -240 -340 mV
R
CEsat
collector-emitter
saturation resistance
I
C
= -0.5 A; I
B
= -50 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 360 mΩ
V
BEsat
base-emitter saturation
voltage
I
C
= -500 mA; I
B
= -50 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - -1 V