Datasheet

NXP Semiconductors
PBSS4160PAN
60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4160PAN All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2013. All rights reserved
Product data sheet 14 January 2013 11 / 17
006aad206
0.4
0.8
1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
(3)
(2)
(1)
V
CE
= 2 V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig. 12. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
006aad207
0.6
0.8
0.4
1.0
1.2
V
BEsat
(V)
0.2
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
(1)
(2)
(3)
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig. 13. Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values
006aad208
10
-1
10
-2
1
V
CEsat
(V)
10
-3
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
(1)
(2)
(3)
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig. 14. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
006aad209
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
10
-2
10
-1
1
10
V
CEsat
(V)
10
-3
(1)
(2)
(3)
T
amb
= 25 °C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
= 50
(3) I
C
/I
B
= 10
Fig. 15. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values