Datasheet

NXP Semiconductors
PBSS4160PAN
60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4160PAN All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2013. All rights reserved
Product data sheet 14 January 2013 10 / 17
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA; T
amb
= 25 °C - - 1 V
I
C
= 1 A; I
B
= 50 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 1.1 V
V
BEsat
base-emitter saturation
voltage
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 1.1 V
V
BEon
base-emitter turn-on
voltage
V
CE
= 2 V; I
C
= 0.5 A; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 0.9 V
t
d
delay time - 15 - ns
t
r
rise time - 90 - ns
t
on
turn-on time - 105 - ns
t
s
storage time - 410 - ns
t
f
fall time - 130 - ns
t
off
turn-off time
V
CC
= 10 V; I
C
= 500 mA; I
Bon
= 25 mA;
I
Boff
= -25 mA; T
amb
= 25 °C
- 540 - ns
f
T
transition frequency V
CE
= 10 V; I
C
= 50 mA; f = 100 MHz;
T
amb
= 25 °C
90 175 - MHz
C
c
collector capacitance V
CB
= 10 V; I
E
= 0 A; i
e
= 0 A;
f = 1 MHz; T
amb
= 25 °C
- 4 6 pF
006aad204
400
200
600
800
h
FE
0
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
(1)
(2)
(3)
V
CE
= 2 V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig. 10. DC current gain as a function of collector
current; typical values
V
CE
(V)
0 542 31
006aad205
0.50
0.75
0.25
1.00
1.50
I
C
(A)
0
I
B
= 15 mA
13.5 12 10.5
9
7.5
6
4.5
3
1.5
T
amb
= 25 °C
Fig. 11. Collector current as a function of collector-
emitter voltage; typical values