Datasheet

PBSS4160DS_4 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 04 — 11 December 2009 7 of 14
NXP Semiconductors
PBSS4160DS
60 V, 1 A NPN/NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
=5V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
V
CE
=5V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 5. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 6. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
=50
(3) I
C
/I
B
=10
Fig 7. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 8. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
006aaa505
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
400
200
600
800
h
FE
0
(3)
(2)
(1)
006aaa506
0.6
0.8
0.4
1.0
1.2
V
BE
(V)
0.2
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(3)
(2)
(1)
006aaa513
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
10
−1
1
V
CEsat
(V)
10
−2
(3)
(2)
(1)
006aaa514
10
−1
10
−2
1
V
CEsat
(V)
10
−3
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(3)
(2)
(1)