Datasheet

2005 Feb 24 5
NXP Semiconductors Product data sheet
40 V, 1A
NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS4140T
handbook, halfpage
0
1000
200
400
600
800
MLD660
10
−1
1
(1)
10
I
C
(mA)
h
FE
10
2
10
3
10
4
(3)
(2)
Fig.2 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 5 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
10
1
10
−1
11010
2
10
3
10
4
10
−1
MLD661
I
C
(mA)
V
BE
(V)
(1)
(3)
(2)
Fig.3 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 5 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
10
3
10
2
10
1
MLD662
11010
2
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
10
3
10
4
(3)
(2)
(1)
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
mld663
10
−1
110
I
C
(mA)
10
2
10
3
10
4
R
CEsat
(Ω)
10
1
10
2
10
−1
(3)
(1)
(2)
Fig.5 Equivalent on-resistance as a function of
collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.