Datasheet

2001 Dec 13 7
NXP Semiconductors Product data sheet
40 V low V
CEsat
NPN/PNP transistor
PBSS4140DPN
handbook, halfpage
MLD638
0
1200
400
800
10
−1
−
1 −10
I
C
(mA)
h
FE
−10
2
−
10
3
−
10
4
(1)
(3)
(2)
Fig.7 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
TR2 (PNP); V
CE
= −5 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
−10
−1
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
−10
4
−10
−1
I
C
(mA)
V
BE
(V)
(1)
(3)
(2)
MLD639
Fig.8 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
TR2 (PNP); V
CE
= −5 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
−10
3
−10
2
−10
−1
MLD640
−1 −10 −10
2
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
−10
3
−10
4
(2)
(1)
(3)
Fig.9 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
TR2 (PNP); I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
10
1
10
−1
10
2
MHC127
−10
−1
−1 −10
R
CEsat
(Ω)
I
C
(mA)
−10
3
−10
2
−10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.10 Equivalent on-resistance as a function of
collector current; typical values.
TR2 (PNP); I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.