Datasheet
NXP Semiconductors
PBSS4130PANP
30 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4130PANP All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2012. All rights reserved
Product data sheet 12 December 2012 11 / 21
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
I
C
= -1 A; I
B
= -50 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - -1 V
I
C
= -1 A; I
B
= -100 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - -1.1 V
V
BEon
base-emitter turn-on
voltage
V
CE
= -2 V; I
C
= -0.5 A; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - -0.9 V
t
d
delay time - 15 - ns
t
r
rise time - 35 - ns
t
on
turn-on time - 50 - ns
t
s
storage time - 105 - ns
t
f
fall time - 35 - ns
t
off
turn-off time
V
CC
= -10 V; I
C
= -0.5 A; I
Bon
= -25 mA;
I
Boff
= 25 mA; T
amb
= 25 °C
- 140 - ns
f
T
transition frequency V
CE
= -10 V; I
C
= -50 mA; f = 100 MHz;
T
amb
= 25 °C
65 125 - MHz
C
c
collector capacitance V
CB
= -10 V; I
E
= 0 A; i
e
= 0 A;
f = 1 MHz; T
amb
= 25 °C
- 13 17 pF
006aad172
200
400
600
h
FE
0
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
(1)
(2)
(3)
V
CE
= 2 V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig. 10. TR1 (NPN): DC current gain as a function of
collector current; typical values
V
CE
(V)
0 542 31
006aad173
0.8
1.2
0.4
1.6
2.0
I
C
(A)
0
I
B
= 10 mA
9
8
7
6
5
4
3
2
1
T
amb
= 25 °C
Fig. 11. TR1 (NPN): Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values